Ночное чтиво о транзисторах
Давным-давно люди делали Planar FET транзисторы. Смотри картинку.
Канал (серый) соприкасался с затвором (фиолетовый) только сверху. Полезной нагрузки было немного.
Затем появились FinFET. Где канал окружён затвором с трёх сторон.
Поэтому начинают делать GaaFET. Где каналы намного шире и из можно размещать в высоту. Но канал в виде конуса не слишком способствует производительности.
И тут Samsung заявляет, что к 2022 году будет MbcFET, где канал плоский, но широкий и его также можно размещать ввысь. Неплохо, да? Все эти улучшения, кстати, демонстрация развития и уменьшения техпроцесса☝️
Давным-давно люди делали Planar FET транзисторы. Смотри картинку.
Канал (серый) соприкасался с затвором (фиолетовый) только сверху. Полезной нагрузки было немного.
Затем появились FinFET. Где канал окружён затвором с трёх сторон.
Поэтому начинают делать GaaFET. Где каналы намного шире и из можно размещать в высоту. Но канал в виде конуса не слишком способствует производительности.
И тут Samsung заявляет, что к 2022 году будет MbcFET, где канал плоский, но широкий и его также можно размещать ввысь. Неплохо, да? Все эти улучшения, кстати, демонстрация развития и уменьшения техпроцесса☝️