Внезапная революция в мире полупроводников: 2-нанометровая топология почти готова
TSMC опередила Samsung в разработке транзисторов GAAFET с круговым затвором и горизонтальным расположением каналов. Эта технология позволит ей сделать рывок и к 2023-2024 гг. перейти с текущих 5 нм на передовой 2-нанометровый техпроцесс производства.
https://www.cnews.ru/news/top/2020-07-14_tsmc_ustroit_revolyutsiyu_v_mire?utm_source=yxnews&utm_medium=desktop&utm_referrer=https%3A%2F%2Fyandex.ru%2Fnews
TSMC опередила Samsung в разработке транзисторов GAAFET с круговым затвором и горизонтальным расположением каналов. Эта технология позволит ей сделать рывок и к 2023-2024 гг. перейти с текущих 5 нм на передовой 2-нанометровый техпроцесс производства.
https://www.cnews.ru/news/top/2020-07-14_tsmc_ustroit_revolyutsiyu_v_mire?utm_source=yxnews&utm_medium=desktop&utm_referrer=https%3A%2F%2Fyandex.ru%2Fnews