Samsung запустила массовое производство 3-нанометровых чипов
«Компания Samsung Electronics сегодня объявляет о запуске 3-нанометрового технологического процесса с применением транзисторной архитектуры Gate-All-Around», – сказано в официальном пресс-релизе.
Первое поколение 3-нанометровых чипов по сравнению с 5-нанометровыми может сократить потребление энергии на 45%, обеспечит повышение производительности на 23% при уменьшении площади чипа на 16% меньше.
Второе поколение 3-нанометровых чипов станет еще чуть более энергоэффективным (они будут потреблять на на 50% меньше энергии в сравнении с 5-нанометровыми), также незначительно повысится производительность (на 7% относительно 3-нанометровых чипов первого поколения) и заметно уменьшится площадь (на 19% относительно 3-нанометровых чипов первого поколения).
Samsung обогнала своего основного конкурента – TSMC. Тайваньская компания запустит 3-нанометровые чипы в массовое производство во второй половине текущего года.
«Компания Samsung Electronics сегодня объявляет о запуске 3-нанометрового технологического процесса с применением транзисторной архитектуры Gate-All-Around», – сказано в официальном пресс-релизе.
Первое поколение 3-нанометровых чипов по сравнению с 5-нанометровыми может сократить потребление энергии на 45%, обеспечит повышение производительности на 23% при уменьшении площади чипа на 16% меньше.
Второе поколение 3-нанометровых чипов станет еще чуть более энергоэффективным (они будут потреблять на на 50% меньше энергии в сравнении с 5-нанометровыми), также незначительно повысится производительность (на 7% относительно 3-нанометровых чипов первого поколения) и заметно уменьшится площадь (на 19% относительно 3-нанометровых чипов первого поколения).
Samsung обогнала своего основного конкурента – TSMC. Тайваньская компания запустит 3-нанометровые чипы в массовое производство во второй половине текущего года.