Это они назвали Tashan Project и уже начали сотрудничать с рядом компаний, которые помогут им к концу года построить производственную линию чипов по 45-нанометровому тех. процессу, а также изучают возможности перехода на 28 нм.
P. S. Однако возникает вопрос - стоит ли догонять поезд, доезжающий до тупика. Величиной технологического процесса было принято считать толщину затвора транзистора, элемента, который при подачи тока делает транзистор проводящим. А с уменьшением масштаба мы приближается к миру квантовой механики, где царствуют вероятности. Так положение частицы там описывается не точкой, а облаком точек возможных положений. Находясь вблизи от какого либо тонкого барьера это облако может заходить за него, в итоге частица спантанно может его перескочить не имея для этого импульса, выбрав ту вероятность, что за барьером(туннельный эффект). Ранее про такие эффекты говорили уже на 3 нм тех. процессе, но сейчас, вроде бы, проблему решили и даже обсуждают 1 нанометр. Однако, всё равно в течении этого десятилетия(ладно если ни первой его половины) мы столкнёмся с невозможностью контролировать проводимость элементов при дальнейшем уменьшении масштаба, что остановит эволюцию кремниевых электронных систем потребует поиска новых подходов. Так что учитывая, сроки постройки производств, сейчас, наверное, уже логичнее искать замену кремнию, чем пытаться догнать современные достижения.
@chestniyblog
P. S. Однако возникает вопрос - стоит ли догонять поезд, доезжающий до тупика. Величиной технологического процесса было принято считать толщину затвора транзистора, элемента, который при подачи тока делает транзистор проводящим. А с уменьшением масштаба мы приближается к миру квантовой механики, где царствуют вероятности. Так положение частицы там описывается не точкой, а облаком точек возможных положений. Находясь вблизи от какого либо тонкого барьера это облако может заходить за него, в итоге частица спантанно может его перескочить не имея для этого импульса, выбрав ту вероятность, что за барьером(туннельный эффект). Ранее про такие эффекты говорили уже на 3 нм тех. процессе, но сейчас, вроде бы, проблему решили и даже обсуждают 1 нанометр. Однако, всё равно в течении этого десятилетия(ладно если ни первой его половины) мы столкнёмся с невозможностью контролировать проводимость элементов при дальнейшем уменьшении масштаба, что остановит эволюцию кремниевых электронных систем потребует поиска новых подходов. Так что учитывая, сроки постройки производств, сейчас, наверное, уже логичнее искать замену кремнию, чем пытаться догнать современные достижения.
@chestniyblog