Новая память Samsung UFS 4.0 сделает смартфоны быстрее и энергоффективнее🔥
Samsung официально представила новое поколение флеш-памяти для мобильных устройств. UFS 4.0 — самое производительное в отрасли решение для хранения данных. С ней смартфоны не только прибавят в производительности, но и снизят своё энергопотребление.
Накопители UFS 4.0 имеют пропускную способность до 23,2 Гбит/с на полосу — вдвое больше по сравнению с UFS 3.1. Благодаря использованию усовершенствованной памяти Samsung V-NAND седьмого поколения и фирменного контроллера компании удалось увеличить скорость последовательного чтения до 4200 МБ/с, а записи — до 2800 МБ/с.
👉Кроме того, Samsung смогла значительно улучшить энергоэффективность чипов. Так, скорость последовательного чтения составляет 6,0 МБ/с на 1 мА, что на 46 % больше по сравнению с ячейками предыдущего поколения.
Массовое производство новой флеш-памяти стартует уже в третьем квартале этого года.
Samsung официально представила новое поколение флеш-памяти для мобильных устройств. UFS 4.0 — самое производительное в отрасли решение для хранения данных. С ней смартфоны не только прибавят в производительности, но и снизят своё энергопотребление.
Накопители UFS 4.0 имеют пропускную способность до 23,2 Гбит/с на полосу — вдвое больше по сравнению с UFS 3.1. Благодаря использованию усовершенствованной памяти Samsung V-NAND седьмого поколения и фирменного контроллера компании удалось увеличить скорость последовательного чтения до 4200 МБ/с, а записи — до 2800 МБ/с.
👉Кроме того, Samsung смогла значительно улучшить энергоэффективность чипов. Так, скорость последовательного чтения составляет 6,0 МБ/с на 1 мА, что на 46 % больше по сравнению с ячейками предыдущего поколения.
Массовое производство новой флеш-памяти стартует уже в третьем квартале этого года.