🇷🇺 В Университете Лобачевского (ННГУ), Нижний Новгород, получили гексагональную модификацию кремния, материал со свойствами, которые могут привести к созданию оптоэлектроники и фотоники нового поколения. У нового материала лучшие излучательные свойства по-сравнению с обычным “кубическим” кремнием, который традиционно применяется в микроэлектронике. Научная статья на английском https://aip.scitation.org/doi/10.1063/1.5052605
Для получения нового материала ионы инертных газов внедрялись в диэлектрическую пленку на кремнии, что создавало механические напряжения, релаксация которых при высокотемпературном отжиге вызвало фазовый переход в подложке на границе со слоем диэлектрика. Приповерхностный слой новой фазы может использоваться для создания оптически активных элементов интегральных схем. Подробнее: http://www.nanonewsnet.ru/news/2018/geksagonalnyi-kremnii-uskorit-peredachu-dannykh-do-skorosti-sveta
Для получения нового материала ионы инертных газов внедрялись в диэлектрическую пленку на кремнии, что создавало механические напряжения, релаксация которых при высокотемпературном отжиге вызвало фазовый переход в подложке на границе со слоем диэлектрика. Приповерхностный слой новой фазы может использоваться для создания оптически активных элементов интегральных схем. Подробнее: http://www.nanonewsnet.ru/news/2018/geksagonalnyi-kremnii-uskorit-peredachu-dannykh-do-skorosti-sveta