🔬 Исследователи MIT и Колорадского университета представили модифицированный метод термического атомно-слоевого травления (thermal ALE). Метод позволяет последовательно удалять с поверхности сформированного на чипе полупроводника слои толщиной 0.02 нм за итерацию. Это дает возможность создавать компоненты с недостижимой до сих пор точностью. https://viz.world/@rusmicro/thermal-ALE-20181213-1512/