🌐 Тайваньская WIN Semiconductors готовится к росту спроса на решения 5G на базе технологии GaAs.
WIN Semiconductors Corp. - компания pure play, то есть производство, которое сосредоточено на выпуске микросхем под заказ, не имея собственного отдела разработки интегральных схем. Компания ожидает роста спроса на производство фронтэнд-чипов. От качества таких чипов существенно зависит время работы абонентского терминала от батареи, а если говорить о базовых станциях и активных антеннах, то фронтэнд оказывает существенное влияние на потребляемую мощность.
В системах с поддержкой MIMO существенно возрастают требования к линейности усиления и потребляемой мощности устройств. В WIN подготовили набор технологий на основе GaAs, чтобы отвечать этим требованиям, как для диапазонов ниже 6 ГГц, так и для миллиметровых диапазонов, которые будут использоваться системами 5G, в частности, для диапазона 28-39 ГГц.
В частности, были разработаны такие технологии на базе GaAs, как PIH1-10, предназначенные для монолитной интеграции в усилители мощности передатчиков, ультрамалошумящие усилители для приемных устройств и коммутаторы с низким уровнем потерь. Кроме того, на базе разработанных технологий GaAs создаются опциональные линейные диоды Шоттки для детекторов мощности и комбайнеров, PIN-диоды с низкой емкостью.
https://electroiq.com/2018/09/win-semiconductors-corp-integrated-gaas-technologies-support-5g-user-equipment-and-network-infrastructure/
WIN Semiconductors Corp. - компания pure play, то есть производство, которое сосредоточено на выпуске микросхем под заказ, не имея собственного отдела разработки интегральных схем. Компания ожидает роста спроса на производство фронтэнд-чипов. От качества таких чипов существенно зависит время работы абонентского терминала от батареи, а если говорить о базовых станциях и активных антеннах, то фронтэнд оказывает существенное влияние на потребляемую мощность.
В системах с поддержкой MIMO существенно возрастают требования к линейности усиления и потребляемой мощности устройств. В WIN подготовили набор технологий на основе GaAs, чтобы отвечать этим требованиям, как для диапазонов ниже 6 ГГц, так и для миллиметровых диапазонов, которые будут использоваться системами 5G, в частности, для диапазона 28-39 ГГц.
В частности, были разработаны такие технологии на базе GaAs, как PIH1-10, предназначенные для монолитной интеграции в усилители мощности передатчиков, ультрамалошумящие усилители для приемных устройств и коммутаторы с низким уровнем потерь. Кроме того, на базе разработанных технологий GaAs создаются опциональные линейные диоды Шоттки для детекторов мощности и комбайнеров, PIN-диоды с низкой емкостью.
https://electroiq.com/2018/09/win-semiconductors-corp-integrated-gaas-technologies-support-5g-user-equipment-and-network-infrastructure/