🇷🇺 Юрий Завалин, НИИМА Прогресс в интервью RUБЕЖ
Директор по производству АО “НИИМА Прогресс” дал интервью в связи с подготовкой к секции “Моделирование электронных компонентов и систем” Форума “Микроэлектроника 2018”. Подробнее можно почитать по ссылке https://news.rambler.ru/other/40664493-ot-foruma-mikroelektronika-zhdut-novyh-resheniy/
О чем, в основном, шла речь.
В этом году секция расширит свою тематику, отсюда и смена названия. Планируется поговорить о том, что существующие системы автоматизированного проектирования микросхем остаются импортными, тогда как отечественная САПР микроэлектронных изделий все еще отсутствует как конечный продукт, несмотря на существование и развитие различного отечественного ПО. В работе секции примут участники разработок САПР в рамках госпрограммы развития ОПК, которые ведутся Департаментом радиоэлектронной промышленности Минпромторга.
Будут обсуждаться скрипты, позволяющие проектировать на современных технологиях уровня 65 нм и ниже вплоть до 16 нм.
На секции обещаны интересные доклады от школы Константина Петросянца из МИЭМ НИУ ВШЭ на тему эффектов, связанных со специальными внешними воздействующими факторами, соответствующие модели могут импортироваться в существующие иностранные САПР.
Планируется затронуть вопросы проектирования сложно-функциональных изделий типа SoC, СВЧ МИС, а также сквозное проектирование “плата-корпус-кристалл”, как один из ключевых трендов. Возможно будут доклады по теме проектирования компонентов радиофотоники и оптоэлектронных устройств.
Директор по производству АО “НИИМА Прогресс” дал интервью в связи с подготовкой к секции “Моделирование электронных компонентов и систем” Форума “Микроэлектроника 2018”. Подробнее можно почитать по ссылке https://news.rambler.ru/other/40664493-ot-foruma-mikroelektronika-zhdut-novyh-resheniy/
О чем, в основном, шла речь.
В этом году секция расширит свою тематику, отсюда и смена названия. Планируется поговорить о том, что существующие системы автоматизированного проектирования микросхем остаются импортными, тогда как отечественная САПР микроэлектронных изделий все еще отсутствует как конечный продукт, несмотря на существование и развитие различного отечественного ПО. В работе секции примут участники разработок САПР в рамках госпрограммы развития ОПК, которые ведутся Департаментом радиоэлектронной промышленности Минпромторга.
Будут обсуждаться скрипты, позволяющие проектировать на современных технологиях уровня 65 нм и ниже вплоть до 16 нм.
На секции обещаны интересные доклады от школы Константина Петросянца из МИЭМ НИУ ВШЭ на тему эффектов, связанных со специальными внешними воздействующими факторами, соответствующие модели могут импортироваться в существующие иностранные САПР.
Планируется затронуть вопросы проектирования сложно-функциональных изделий типа SoC, СВЧ МИС, а также сквозное проектирование “плата-корпус-кристалл”, как один из ключевых трендов. Возможно будут доклады по теме проектирования компонентов радиофотоники и оптоэлектронных устройств.