🇨🇳 Компания Sanan IC, Китай, специализирующаяся в области контрактного производства полупроводников, объявила о выходе на рынок Северной Европы, Европы и Азиатско-Тихоокеанского региона с объемным портфолио арсенид-галлиевых HBT (гетеро-биполярных транзисторов), pHEMT (Псевдоморфных транзисторов с высокой подвижностью электронов), BiHEMT (биполярно-канальных структур с высокой подвижностью электронов), фильтров, мощных HEMT на основе нитрида галлия, а также DHBT с затворами на базе фосфида индия.
Компания специализируется на исполнении заказов на выпуск больших партий высокопроизводительных изделий, производстве высококачественной микроэлектроники для рынков радиочастотных изделий, включая изделия для миллиметрового диапазона, силовой электроники и оптоэлектронных изделий.
Компания основана в 2014 году в городе Xiamen, в провинции Fujian в Южном Китае, как подразделение Sanan Optoelectronics, специализирующейся на производстве LED-чипов, основанных на технологиях GaN и GaAs.
В Sanan IC готовы производить 6-дюймовые эпитаксиальные пластины III-V. В этой области в мире прогнозируется устойчивый рост спроса, в частности, по оценкам Yole Developpement, рынок пластин GaAs для радиомикросхем, фотоники, фотовольтаики и светодиодов, как ожидается вырастет более, чем до 4 млн шт в 2023 году, при это на долю фотоники будет приходиться большая доля спроса, которая будет расти на 37% в год. Прогнозируется рост спроса на приборы на базе нитрида галлия (GaN) и карбида кремния (SiC) для силовой электроники, используемой в дата-центрах и электротранспорте, зарядниках, источниках питания, лидарах и аудио. Приборы GaN будут востребованы в 2022 году в объеме $460 млн, демонстрируя в предстоящий период рост в 79% в год, тогда спрос на приборы на основе карбида кремния будет расти среднегодовыми темпами в 29% и достигнет $1.4 млрд к 2023 году.
Рост рынка оптических компонентов стимулируется спросом на полупроводники для центров передачи данных, потребительского и авторынка, они находят все более широкое применение в фотодетекторах, лазерных диодах и особенно в лазерах (VSEL) - объем поставок здесь достигнет $3.5 млрд в 2023 году.
Компания специализируется на исполнении заказов на выпуск больших партий высокопроизводительных изделий, производстве высококачественной микроэлектроники для рынков радиочастотных изделий, включая изделия для миллиметрового диапазона, силовой электроники и оптоэлектронных изделий.
Компания основана в 2014 году в городе Xiamen, в провинции Fujian в Южном Китае, как подразделение Sanan Optoelectronics, специализирующейся на производстве LED-чипов, основанных на технологиях GaN и GaAs.
В Sanan IC готовы производить 6-дюймовые эпитаксиальные пластины III-V. В этой области в мире прогнозируется устойчивый рост спроса, в частности, по оценкам Yole Developpement, рынок пластин GaAs для радиомикросхем, фотоники, фотовольтаики и светодиодов, как ожидается вырастет более, чем до 4 млн шт в 2023 году, при это на долю фотоники будет приходиться большая доля спроса, которая будет расти на 37% в год. Прогнозируется рост спроса на приборы на базе нитрида галлия (GaN) и карбида кремния (SiC) для силовой электроники, используемой в дата-центрах и электротранспорте, зарядниках, источниках питания, лидарах и аудио. Приборы GaN будут востребованы в 2022 году в объеме $460 млн, демонстрируя в предстоящий период рост в 79% в год, тогда спрос на приборы на основе карбида кремния будет расти среднегодовыми темпами в 29% и достигнет $1.4 млрд к 2023 году.
Рост рынка оптических компонентов стимулируется спросом на полупроводники для центров передачи данных, потребительского и авторынка, они находят все более широкое применение в фотодетекторах, лазерных диодах и особенно в лазерах (VSEL) - объем поставок здесь достигнет $3.5 млрд в 2023 году.