🇷🇺 В МИЭТ создали фотодетектор, основанный на прямой лазерной модификации графена. От традиционных его отличает полупроводниковая структура, способная реагировать даже на самые слабые источники света, вырабатывая при это на порядки больше электроэнергии. Кроме того, такой фотодетектор может работать при комнатной температуре при напряжении в 9 мВ. Новый материал получают за счет облучения графена серией коротких импульсов лазерного излучения. Как ожидается, новый материал можно будет задействовать при создании фотодетекторов, солнечных батарей, а также в фотонике. https://ria.ru/science/20180821/1526927819.html