В России также идут эксперименты с полупроводниковыми нитридами, в частности, в ТГУ экспериментируют со традиционными структурами InAlN/GaN и обещают сдать результаты в виде технологии компании Микран до конца 2019 года.
Речь идет о классической структуре, не позволяющей добиться высокой выходной мощности. Может быть стоит попробовать повторить успех японских разработчиков, добавляя в классическую структуру слой AlGaN или поискать свое решение проблемы пробоя?
Речь идет о классической структуре, не позволяющей добиться высокой выходной мощности. Может быть стоит попробовать повторить успех японских разработчиков, добавляя в классическую структуру слой AlGaN или поискать свое решение проблемы пробоя?