Проблему теплоотвода, которая обычно остро стоит в изделиях на базе GaN, удается решить за счет использования технологии “алмазного субстрата”, которую в Fujitsu разработали в 2017 году.
В компании планируют коммерциализовать технологию создания GaN HEMT транзисторов с увеличенной выходной мощностью до 2020 года.
Источник: http://www.fujitsu.com/global/about/resources/news/press-releases/2018/0810-01.html
В компании планируют коммерциализовать технологию создания GaN HEMT транзисторов с увеличенной выходной мощностью до 2020 года.
Источник: http://www.fujitsu.com/global/about/resources/news/press-releases/2018/0810-01.html