Проблему удалось решить за счет добавления слоя AlGaN c высоким сопротивлением между слоем поставляющим электроны и канальным слоем. За счет этого, высокое напряжение в транзисторе рассеивается по слоям, разделенным AlGaN. Это снижает кинетическую энергию электронов и предотвращает кристалл от разрушения при напряжениях вплоть до 100В. При необходимости можно добиться и более высоких напряжений, если увеличивать расстояние между входным электродом и электродом затвора до 1 см.
Таким образом, добавляя слой AlGaN в структуру InAlGaN HEMT, достигается возможность нарастить одновременно напряжение и ток, то есть выходную мощность полупроводниковых приборов.
Таким образом, добавляя слой AlGaN в структуру InAlGaN HEMT, достигается возможность нарастить одновременно напряжение и ток, то есть выходную мощность полупроводниковых приборов.