🇯🇵 Fujitsu втрое увеличила выходную мощность транзисторов на базе GaN
Компания Fujitsu Laboratories объявила об успешной разработке кристаллической структуры, позволяющей существенно нарастить предельно допустимый ток и напряжение в транзисторах HEMT GaN, выходная мощность за счет этого выросла втрое.
Аббревиатура HEMT происходит от англ. High Electron Mobility Transistor - транзисторы с высокой подвижностью электронов, находят применение в системах спутниковой связи, радарах и мобильных устройствах, прежде всего в СВЧ. Как правило это достигается добавлением в систему материалов с высокой подвижностью электронов, например, GaAs, InAs. Создание подобных структур требует использования так называемых буферных слоев, позволяющих формировать бездефектные слои материалов с различными размерами кристаллических ячеек.
Новая технология может использоваться в усилителях мощности в таких приборах, как погодные радары, позволяя увеличить “дальнобойность” радара примерно в 2.3 раза.
Основная идея заключается в том, что напряжение должно подводиться к транзистору “дисперсно”. Запатентованная технология позволила добиться плотности мощности до 19.9 Вт/мм в GaN HEMT, использующим буферные слои InAlGaN.
Компания рассказала о своей технологии на симпозиуме ISGN-8 в Варшаве, которая прошла на прошлой неделе.
Fujitsu Laboratories работает с GaN HEMT с начала нулевых годов и обеспечивает поставки приборов на основе AlGaN HEMT. В последние месяцы лаборатория активно занимается исследованиями InAlGaN HEMT.
Для того, чтобы повысить выходную мощность транзистора, требуется создать структуру, которая бы выдерживала и высокие токи и высокие напряжения. Структура на базе InAlGaN позволяет повысить ток, поскольку в таком материале можно наращивать плотность электронов. Но проблемой оставалось то, что при повышении напряжения, структура кристалла получала повреждения.
Компания Fujitsu Laboratories объявила об успешной разработке кристаллической структуры, позволяющей существенно нарастить предельно допустимый ток и напряжение в транзисторах HEMT GaN, выходная мощность за счет этого выросла втрое.
Аббревиатура HEMT происходит от англ. High Electron Mobility Transistor - транзисторы с высокой подвижностью электронов, находят применение в системах спутниковой связи, радарах и мобильных устройствах, прежде всего в СВЧ. Как правило это достигается добавлением в систему материалов с высокой подвижностью электронов, например, GaAs, InAs. Создание подобных структур требует использования так называемых буферных слоев, позволяющих формировать бездефектные слои материалов с различными размерами кристаллических ячеек.
Новая технология может использоваться в усилителях мощности в таких приборах, как погодные радары, позволяя увеличить “дальнобойность” радара примерно в 2.3 раза.
Основная идея заключается в том, что напряжение должно подводиться к транзистору “дисперсно”. Запатентованная технология позволила добиться плотности мощности до 19.9 Вт/мм в GaN HEMT, использующим буферные слои InAlGaN.
Компания рассказала о своей технологии на симпозиуме ISGN-8 в Варшаве, которая прошла на прошлой неделе.
Fujitsu Laboratories работает с GaN HEMT с начала нулевых годов и обеспечивает поставки приборов на основе AlGaN HEMT. В последние месяцы лаборатория активно занимается исследованиями InAlGaN HEMT.
Для того, чтобы повысить выходную мощность транзистора, требуется создать структуру, которая бы выдерживала и высокие токи и высокие напряжения. Структура на базе InAlGaN позволяет повысить ток, поскольку в таком материале можно наращивать плотность электронов. Но проблемой оставалось то, что при повышении напряжения, структура кристалла получала повреждения.