🔬 Как идут дела с переходом к процессу 5 нм? Обстоятельную статью на эту тему на английском можно прочесть здесь https://semiengineering.com/5nm-challenges-come-into-focus/ , а мы приведем краткую информацию по теме.
Чем меньше размеры, тем более актуальным становится сотрудничество различных фаундри, а также IP-разработчиков и других участников процесса. 5 нм добавляет к этому тренду новые сложности, например, внедрение EUV-литографии, необходимость борьбы с различными физическими и электрическими эффектами, которые могут оказывать негативное влияние на производство и дальнейшую службу полупроводников. В итоге миграция на каждый следующий уровень геометрии элементов требует все больше времени и средств для разрешения всех проблем.
На сегодняшний день технология 5 нм далека от зрелости, каждая из фаундри находятся на различных позициях в разработке, но все еще не близки к выходу на возможность практического внедрения этой технологии. Одна из общих черт - переход от FinFET к GAA (Gate All Around), что будет актуально, если не для 5 нм, то наверняка для 3 мм. Этот переход необходим потому, что требуется решить проблему утечки с затвора.
Требуются новые решения для дизайна чипов, учитывающие становящиеся актуальными физические эффекты. Один из важных моментов - обязательный учет электромагнитных эффектов, их симуляция еще на этапе дизайна кристалла.
🇷🇺 Самая различная современная электроника строится на базе гетероструктур - это позволяет строить полупроводниковые приборы, способные устойчиво работать в условиях комнатных или более высоких температур. Особенно актуальны гетероструктуры при разработке транзисторов с высокой подвижностью электронов - они широко применяются в СВЧ-электронике.
В лаборатории молекулярно-лучевой эпитаксии и нанолитографии ИНТЭЛ разрабатывают так называемый квантовый дизайн гетероструктур за счет перехода к составным функциональным слоям. Можно повышать подвижность электронов без потери их концентрации за счет, например, нановставки InAs внутри квантовой ямы или AlAs - снаружи ее.
Ученые спроектировали и вырастили сотни различных гетероструктур на основе комбинации InGaAs, изучили их свойства. Материал интересный, способный конкурировать с GaN, SiGe, SiC и графеном. Подробнее https://ria.ru/science/20180718/1524803398.html
Чем меньше размеры, тем более актуальным становится сотрудничество различных фаундри, а также IP-разработчиков и других участников процесса. 5 нм добавляет к этому тренду новые сложности, например, внедрение EUV-литографии, необходимость борьбы с различными физическими и электрическими эффектами, которые могут оказывать негативное влияние на производство и дальнейшую службу полупроводников. В итоге миграция на каждый следующий уровень геометрии элементов требует все больше времени и средств для разрешения всех проблем.
На сегодняшний день технология 5 нм далека от зрелости, каждая из фаундри находятся на различных позициях в разработке, но все еще не близки к выходу на возможность практического внедрения этой технологии. Одна из общих черт - переход от FinFET к GAA (Gate All Around), что будет актуально, если не для 5 нм, то наверняка для 3 мм. Этот переход необходим потому, что требуется решить проблему утечки с затвора.
Требуются новые решения для дизайна чипов, учитывающие становящиеся актуальными физические эффекты. Один из важных моментов - обязательный учет электромагнитных эффектов, их симуляция еще на этапе дизайна кристалла.
🇷🇺 Самая различная современная электроника строится на базе гетероструктур - это позволяет строить полупроводниковые приборы, способные устойчиво работать в условиях комнатных или более высоких температур. Особенно актуальны гетероструктуры при разработке транзисторов с высокой подвижностью электронов - они широко применяются в СВЧ-электронике.
В лаборатории молекулярно-лучевой эпитаксии и нанолитографии ИНТЭЛ разрабатывают так называемый квантовый дизайн гетероструктур за счет перехода к составным функциональным слоям. Можно повышать подвижность электронов без потери их концентрации за счет, например, нановставки InAs внутри квантовой ямы или AlAs - снаружи ее.
Ученые спроектировали и вырастили сотни различных гетероструктур на основе комбинации InGaAs, изучили их свойства. Материал интересный, способный конкурировать с GaN, SiGe, SiC и графеном. Подробнее https://ria.ru/science/20180718/1524803398.html